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PDTC115ET,215

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 NXP Semiconductors
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PDTC115ET,215参数
产品类别:分离式半导体产品-晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
说明:TRANS NPN 50V 20MA SOT23
包装数量:3000
包装形式:带卷 (TR)
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晶体管类型:NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大):20mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):100k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):100k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):80 @ 5mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):150mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大):1µA
频率 - 转换:-
功率 - 最大:250mW
安装类型:表面贴装

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